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W29EE012S-90

更新时间： 2024-09-19 14:45:35

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	242K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

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W29EE012S-90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TEN YEAR DATA RETENTION; SOFTWARE AND HARDWARE DATA PROTECTION
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.45 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29EE012S-90 数据手册

W29EE012

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE012 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29EE012 results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products).

The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Page program/erase cycles: 1,000

· Ten-year data retention

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

Publication Release Date: March 26, 2002

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...19

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与W29EE012S-90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29EE012Y	WINBOND	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS
W29EE512	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512-70	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512-90	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512P-12	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-12B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-70	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-70B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-70-TR	WINBOND	获取价格	Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32