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W29EE512P-70

更新时间： 2024-09-18 22:30:43

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华邦 - WINBOND		/
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22页	291K
描述
64K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29EE512P-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	部门规模：	128
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W29EE512P-70 数据手册

W29EE512

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

64K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE512 is a 512K bit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 64K ´ 8 bits. The device

can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is not

required. The unique cell architecture of the W29EE512 results in fast program/erase operations with

extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products). The

device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 50 mA (max.)

- Standby current: 100 mA (max.)

- 128 bytes per page

· Automatic program timing with internal VPP

generation

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 70/90/120 nS

· Typical page program/erase cycles: 1K/10K

· Ten-year data retention

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin PLCC, TSOP and

VSOP

Publication Release Date: February 18, 2002

- 1 -

Revision A7

12 3 4 5 6 7...22

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W29EE512P-70 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AT29C512-70JU	ATMEL	功能相似	512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Memory
AT29C512-70JI	ATMEL	功能相似	512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Memory
AT29C512-70JC	ATMEL	功能相似	512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Memory

与W29EE512P-70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29EE512P-70B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-70-TR	WINBOND	获取价格	Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29EE512P70Z	WINBOND	获取价格	Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W29EE512P-90	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-90B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-90-TR	WINBOND	获取价格	Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29EE512P90Z	WINBOND	获取价格	Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W29EE512Q-70	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512Q-70B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512Q-90	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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