是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.67 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE |
数据保留时间-最小值: | 10 | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 编程电压: | 5 V |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W29EE512P70Z | WINBOND |
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Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
W29EE512P-90 | WINBOND |
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64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512P-90B | WINBOND |
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64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512P-90-TR | WINBOND |
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Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
W29EE512P90Z | WINBOND |
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Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | |
W29EE512Q-70 | WINBOND |
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64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512Q-70B | WINBOND |
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64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512Q-90 | WINBOND |
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64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512Q-90B | WINBOND |
获取价格 |
64K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29EE512S-12 | ETC |
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x8 Flash EEPROM |