Datasheet > 存储 > 闪存> W29EE512Q-90

W29EE512Q-90

更新时间： 2024-11-26 21:54:35

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
22页	291K
描述
64K X 8 CMOS FLASH MEMORY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29EE512Q-90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W29EE512Q-90 数据手册

W29EE512

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

64K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE512 is a 512K bit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 64K ´ 8 bits. The device

can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is not

required. The unique cell architecture of the W29EE512 results in fast program/erase operations with

extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products). The

device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 50 mA (max.)

- Standby current: 100 mA (max.)

- 128 bytes per page

· Automatic program timing with internal VPP

generation

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 70/90/120 nS

· Typical page program/erase cycles: 1K/10K

· Ten-year data retention

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin PLCC, TSOP and

VSOP

Publication Release Date: February 18, 2002

- 1 -

Revision A7

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与W29EE512Q-90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29EE512Q-90B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512S-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512S-70	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512S-90	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29EE512T-12	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512T-12B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512T-70	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512T-70B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512T-90	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512T-90B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29EE512Q-90相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29EE512Q-90

W29EE512Q-90 技术参数

W29EE512Q-90 数据手册

与W29EE512Q-90相关器件

与W29EE512Q-90相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29EE512Q-90

W29EE512Q-90 技术参数

W29EE512Q-90 数据手册

与W29EE512Q-90相关器件

与W29EE512Q-90相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？