Datasheet > 存储 > 闪存> W29EE512T-12

W29EE512T-12

更新时间： 2024-09-18 22:30:43

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	291K
描述
64K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29EE512T-12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	512
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29EE512T-12 数据手册

W29EE512

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

64K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE512 is a 512K bit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 64K ´ 8 bits. The device

can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is not

required. The unique cell architecture of the W29EE512 results in fast program/erase operations with

extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products). The

device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 50 mA (max.)

- Standby current: 100 mA (max.)

- 128 bytes per page

· Automatic program timing with internal VPP

generation

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 70/90/120 nS

· Typical page program/erase cycles: 1K/10K

· Ten-year data retention

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin PLCC, TSOP and

VSOP

Publication Release Date: February 18, 2002

- 1 -

Revision A7

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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W29EE512T-70B	WINBOND	获取价格	64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
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