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VS-HFA08SD60SR-M3

更新时间： 2024-11-09 14:36:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 162K
描述
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-HFA08SD60SR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：14 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.055 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-HFA08SD60SR-M3 数据手册

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VS-HFA08SD60S-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A  
FEATURES  
2, 4  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
• Very low Qrr  
1
3
• Guaranteed avalanche  
N/C  
Anode  
TO-252AA (D-PAK)  
• Specified at operating conditions  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
BENEFITS  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
8 A  
• Reduced RFI and EMI  
IF(AV)  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
VR  
600 V  
VF at IF  
1.4 V  
t
rr typ.  
18 ns  
• Reduced parts count  
TJ max.  
150 °C  
Diode variation  
Single die  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI / RFI  
in high frequency power conditioning systems. The softness  
of the recovery eliminates the need for a snubber in most  
applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
8
IFSM  
60  
24  
A
Peak repetitive forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
PD  
TC = 100 °C  
14  
W
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TStg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.7  
1.4  
0.3  
100  
10  
1.7  
2.1  
1.7  
5.0  
500  
25  
V
Forward voltage  
VF  
IF = 16 A  
See fig. 1  
See fig. 3  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse   
leakage current  
IR  
μA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 24-Nov-16  
Document Number: 93474  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-HFA08SD60SR-M3 替代型号

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