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VS-HFA08SD60STRLPBF

更新时间： 2024-11-30 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 通用无线电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-HFA08SD60STRLPBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：UFSRHP
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.055 µs
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-HFA08SD60STRLPBF 数据手册

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VS-HFA08SD60SPbF  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
2, 4  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
1
3
• Specified at operating conditions  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
N/C  
Anode  
D-PAK (TO-252AA)  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
8 A  
IF(AV)  
• Reduced parts count  
VR  
600 V  
VF at IF  
1.7 V  
DESCRIPTION  
trr typ.  
18 ns  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems. The softness of  
the recovery eliminates the need for a snubber in most  
applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
8
IFSM  
60  
A
Peak repetitive forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
24  
14  
PD  
TC = 100 °C  
W
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
600  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
,
IR = 100 μA  
-
-
VR  
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.7  
1.4  
0.3  
100  
10  
1.7  
2.1  
1.7  
5.0  
500  
25  
V
Forward voltage  
VF  
IF = 16 A  
See fig. 1  
See fig. 3  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
μA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 14-Jun-11  
Document Number: 94042  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-HFA08SD60STRPBF VISHAY

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 		DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, Rec
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