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VS-8ETH03-N3

更新时间： 2024-09-18 20:47:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 155K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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VS-8ETH03-N3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.52
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPER FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.25 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向电流：20 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-8ETH03-N3 数据手册

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VS-8ETH03PbF, VS-8ETH03-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
Base  
cathode  
2
• Designed  
JEDEC-JESD47  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
and  
qualified  
according  
to  
1
3
Cathode Anode  
TO-220AC  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
300 V series are the state of the art hyperfast recovery  
rectifiers designed with optimized performance of forward  
voltage drop and hyperfast recovery time.  
Package  
TO-220AC  
8 A  
IF(AV)  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
VR  
300 V  
VF at IF  
1.25 V  
t
rr typ.  
See Recovery table  
175 °C  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, DC/DC converters as well as  
freewheeling diodes in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
TJ max.  
Diode variation  
Single die  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
300  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
V
IF(AV)  
TC = 155 °C  
TC = 25 °C  
8
A
IFSM  
100  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
300  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.0  
0.83  
0.02  
6.0  
31  
1.25  
1.00  
20  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 300 V  
200  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8
-
nH  
Revision: 26-Jun-12  
Document Number: 94024  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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