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VS-8ETH03SPBF

更新时间： 2024-11-01 19:45:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高帧率高马力二极管
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

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VS-8ETH03SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.59
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HFRHP
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-8ETH03SPBF 数据手册

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VS-8ETH03SPbF, VS-8ETH03-1PbF  
Vishay High Power Products  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
VS-8ETH03-1PbF  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
VS-8ETH03SPbF  
• 175 °C operating junction temperature  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
Base  
cathode  
2
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
3
1
3
1
N/C  
Anode  
N/C  
Anode  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
D2PAK  
Vishay HPP’s 300 V series are the state of the art hyperfast  
recovery rectifiers designed with optimized performance of  
forward voltage drop and hyperfast recovery time.  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, dc-to-dc converters as well as  
freewheeling diodes in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
TO-262  
PRODUCT SUMMARY  
trr  
IF(AV)  
VR  
35 ns  
8 A  
300 V  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
300  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
V
IF(AV)  
TC = 155 °C  
TC = 25 °C  
8
A
IFSM  
100  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
300  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.0  
0.83  
0.02  
6.0  
31  
1.25  
1.00  
20  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 300 V  
200  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8
-
Document Number: 94025  
Revision: 11-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8ETH03STRLPBF VISHAY

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