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VS-8ETH06-1HM3

更新时间： 2024-09-19 14:55:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 213K
描述
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?

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VS-8ETH06-1HM3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：22 weeks
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
最小击穿电压：600 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.4 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：90 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.022 µs反向测试电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

VS-8ETH06-1HM3 数据手册

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VS-8ETH06SHM3, VS-8ETH06-1HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
2
• 175 °C operating junction temperature  
3
3
1
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
1
D2PAK (TO-263AB)  
TO-262AA  
• AEC-Q101 qualified, meets JESD 201,  
class 1 whisker test  
Base  
cathode  
2
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time, and soft recovery.  
3
1
3
1
N/C  
Anode  
N/C  
Anode  
VS-8ETH06SHM3  
VS-8ETH06-1HM3  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES  
3
D
3
D
These devices are intended for use in PFC boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
3D Models  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
IF(AV)  
8 A  
VR  
600 V  
1.3 V  
VF at IF  
t
rr typ.  
18 ns  
TJ max.  
Package  
175 °C  
D2PAK (TO-263AB), TO-262AA  
Single  
Circuit configuration  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
600  
V
TC = 144 °C  
TJ = 25 °C  
8
IFSM  
90  
16  
A
IFM  
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.3  
0.3  
55  
2.4  
1.8  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
17  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 01-Aug-2023  
Document Number: 96045  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8ETH06-1-M3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?
VS-8ETH06-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE AND
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