是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | TRI-STATE; ENABLE/DISABLE FUNCTION; APR 100 PPM ALSO AVAILABLE | 最大控制电压: | 3.3 V |
最小控制电压: | 最长下降时间: | 6 ns | |
频率调整-机械: | NO | 频率偏移/牵引率: | 50 ppm |
频率稳定性: | 20% | 线性度: | 20% |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 标称工作频率: | 1.5 MHz |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
振荡器类型: | HCMOS/TTL | 输出负载: | 10 TTL, 50 pF |
物理尺寸: | 7.7mm x 5.2mm x 2.29mm | 最长上升时间: | 6 ns |
最大供电电压: | 3.45 V | 最小供电电压: | 3.15 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 60/40 % | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VF294SL50155.52M | ETC |
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Surface Mount VCXO | |
VF294SL-50-160.00MHZ | CTS |
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Oscillator, 1.5MHz Min, 160MHz Max, 160MHz Nom, Hybrid, | |
VF294SL50160.0M | ETC |
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Surface Mount VCXO | |
VF3 | ECM |
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Surface Mount Oscillator | |
VF30 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.08A, 30000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
VF30100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A | |
VF30100C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A | |
VF30100C-M3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VF30100C-M3/4W | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VF30100S | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |