5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VF30120SG-E3/4W
VF30120SG-E3/4W PDF预览

VF30120SG-E3/4W

更新时间： 2024-09-20 08:13:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A

阅读下载

中文翻译

获取价格

VF30120SG-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.39
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VF30120SG-E3/4W 数据手册

 浏览型号VF30120SG-E3/4W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VF30120SG-E3/4W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VF30120SG-E3/4W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VF30120SG-E3/4W的Datasheet PDF文件第5页 
New Product  
V30120SG, VF30120SG, VB30120SG & VI30120SG  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.47 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
V30120SG  
TO-263AB  
VF30120SG  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
A
3
NC  
2
1
VB30120SG  
VI30120SG  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
PIN 1  
PIN 3  
NC  
A
K
PIN 2  
K
HEATSINK  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
30 A  
120 V  
220 A  
VF at IF = 30 A  
TJ max.  
0.81 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V30120SG VF30120SG VB30120SG VI30120SG  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
120  
30  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
220  
A
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 89011  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与VF30120SG-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VF30120SG-E3-4W VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF30120SG-M3-4W VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF30150C VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
VF30150C_10 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF30150C-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
VF30150C-E3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF30150C-M3 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Schottky technology
VF30150C-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VF30150C-M3_15 VISHAY

获取价格

 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF30150C-M3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

与VF30120SG-E3/4W相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证