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VF30150C-M3/4W PDF预览

VF30150C-M3/4W

更新时间： 2024-11-08 21:22:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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VF30150C-M3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.17
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.79 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：140 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VF30150C-M3/4W 数据手册

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VF30150C-M3  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,  
per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
2
1
VF30150C  
TYPICAL APPLICATIONS  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
MECHANICAL DATA  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
150 V  
VRRM  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
IFSM  
140 A  
commercial grade  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Package  
0.71 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
150 °C  
ITO-220AB  
Diode variations  
Dual common cathode  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VF30150C  
UNIT  
per device  
per diode  
30  
15  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
140  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Revision: 17-Aug-15  
Document Number: 89270  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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VF30150C-M3/4W 替代型号

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-22
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