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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.79 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 45 V | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 3 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.08 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VF30100C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
|
| VF30100C-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
|
| VF30100C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VF30100C-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| VF30100S | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
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| VF30100S_15 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VF30100S-E3/45 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
|
| VF30100S-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VF30100S-E3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VF30100SG | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A |
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