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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8533.40.40.00 | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 电路直流最大电压： | 175 V |
| 电路RMS最大电压： | 130 V | 最大能量吸收容量： | 11 J |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装形状： | RECTANGULAR PACKAGE | 封装形式： | SIP |
| 电阻器类型： | VARISTOR | 子类别： | Non-linear Resistors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | METAL OXIDE FILM |
| 端子位置： | RADIAL | 端子形状： | WIRE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V200RA8X2749 | LITTELFUSE |
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Varistor, 175V, 11J, Through Hole Mount, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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| V200S015 | ZCOMM |
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Voltage Controlled Oscillator, 200MHz Min, 300MHz Max |
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| V20100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C, VI20100C | VISHAY |
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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier S |
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| V20100C_09 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V20100C-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C-E3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V20100CHM3/4W | VISHAY |
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DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
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| V20100R | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
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