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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V20100S-E3/4W
V20100S-E3/4W PDF预览

V20100S-E3/4W

更新时间： 2024-11-18 05:52:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管测试瞄准线高压功效PC局域网
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

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V20100S-E3/4W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.45Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：404681
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Schottky Diode
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-220AB_4
Samacsys Released Date：2018-04-24 07:48:09Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE , LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
最小击穿电压：105 V外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：500 µA
反向测试电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

V20100S-E3/4W 数据手册

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New Product  
V20100S, VF20100S, VB20100S & VI20100S  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.446 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Low thermal resistance  
3
3
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
2
1
1
V20100S  
VF20100S  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
A
3
NC  
VB20100S  
2
1
VI20100S  
PIN 1  
PIN 3  
NC  
A
K
PIN 2  
K
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
HEATSINK  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
20 A  
100 V  
250 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
0.69 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V20100S  
VF20100S  
VB20100S  
VI20100S  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
100  
20  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
250  
A
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
From terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 88975  
Revision: 31-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V20100SG VISHAY

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V20100SG_08 VISHAY

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V20100SG-E3/4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100SGHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V20100SHM3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE
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V20100S-M3 VISHAY

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