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V20100SGHM3/4W PDF预览

V20100SGHM3/4W

更新时间： 2024-11-18 14:36:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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V20100SGHM3/4W 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.38
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.82 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V20100SGHM3/4W 数据手册

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V20100SG, VI20100SG  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
TO-262AA  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
3
2
2
1
TYPICAL APPLICATIONS  
1
VI20100SG  
V20100SG  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
K
PIN 2  
CASE  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
20 A  
100 V  
150 A  
0.75 V  
150 °C  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
commercial grade  
IFSM  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
Polarity: as marked  
Package  
TO-220AB, TO-262AA  
Single  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Diode variations  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V20100SG  
VI20100SG  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
100  
20  
V
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
Revision: 09-Nov-17  
Document Number: 89153  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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V20100SGHM3/4W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
V20100SG-E3/4W VISHAY

完全替代

 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

与V20100SGHM3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V20100SHM3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE
V20100SHM3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100S-M3 VISHAY

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 		High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
V20100S-M3/4W VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE
V20100S-M3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20120C VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
V20120C, VI20120C VISHAY

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 		Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier S
V20120C_11 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

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