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V20100R-M3/4W

更新时间： 2024-11-21 21:21:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	125K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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V20100R-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.68
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	150 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

V20100R-M3/4W 数据手册

New Product

V20100R

Vishay General Semiconductor

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.54 V at I = 5 A

FEATURES

TMBS^®

TO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21

definition

TYPICAL APPLICATIONS

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

For use in high frequency converters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters and reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 10 A

V_RRM

100 V

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS compliant, and

commercial grade

I_FSM

120 A

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

0.65 V

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V20100R

100

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

120

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/µs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 40 to + 150

Document Number: 89194

Revision: 30-Nov-10

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V20100S	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
V20100S_11	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100S_12	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100S-E3	VISHAY	获取价格	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
V20100S-E3/4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
V20100SG	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
V20100SG_08	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
V20100SG_09	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100SG-E3/4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
V20100SG-E3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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