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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V20100C
V20100C PDF预览

V20100C

更新时间： 2024-11-21 05:52:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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V20100C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V20100C 数据手册

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New Product  
V20100C, VF20100C, VB20100C & VI20100C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.50 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
V20100C  
VF20100C  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
VB20100C  
VI20100C  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
MECHANICAL DATA  
HEATSINK  
PIN 3  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
2 x 10 A  
VRRM  
100 V  
150 A  
0.58 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 10 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V20100C  
VF20100C VB20100C VI20100C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
100  
V
per device  
per diode  
20  
10  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
per diode  
IFSM  
150  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 88977  
Revision: 31-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与V20100C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V20100C, VI20100C VISHAY

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 		Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier S
V20100C_09 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100C-E3 VISHAY

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 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
V20100C-E3/4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
V20100C-E3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20100CHM3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V20100R VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
V20100R-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
V20100R-M3/4W VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
V20100S VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

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