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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.57 | 最大控制电压： | 15 V |
| 最小控制电压： | 调制灵敏度： | 9 MHz/V | |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 偏移频率： | 1 kHz |
| 最大工作频率： | 300 MHz | 最小工作频率： | 200 MHz |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 振荡器类型： | VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR | 输出功率： | 11 dBm |
| 相位噪声： | -78 dBc/Hz | 物理尺寸： | 23.114mm x 23.114mm x 5.588mm |
| 功率变化： | 2 dB | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V20100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C, VI20100C | VISHAY |
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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier S |
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| V20100C_09 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V20100C-E3 | VISHAY |
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
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| V20100C-E3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V20100CHM3/4W | VISHAY |
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DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
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| V20100R | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
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| V20100R-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
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| V20100R-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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