是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ36,.44 |
针数: | 36 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J36 | 长度: | 23.5 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ36,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TC55V8512J-15 | TOSHIBA |
功能相似 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55VBM316AFTN | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VBM316AFTN40 | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VBM316AFTN55 | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VBM316ASGN40 | TOSHIBA |
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IC 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, S | |
TC55VBM316ASGN55 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, S | |
TC55VBM316ASTN40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VBM316ASTN55 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VBM316ATGN55 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, S | |
TC55VBM416AFTN55 | TOSHIBA |
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1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM | |
TC55VCM208ASGN40 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO40, 10 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, T |