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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP32,.46 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1M X 4 | 备用内存宽度： | 1 |
| I/O 类型： | CONFIGURABLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP32,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V1403FT-20 | TOSHIBA |
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4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1403J | TOSHIBA |
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4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1403J-12 | TOSHIBA |
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IC 1M X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RA |
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| TC55V1403J-15 | TOSHIBA |
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4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1403J-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16100FT-10 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| TC55V16100FT-12 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| TC55V16100FT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| TC55V16100FTI-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16100FTI-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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