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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 10 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TC55V16100FT-15 | TOSHIBA |
功能相似  |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V16100FT-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| TC55V16100FT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| TC55V16100FTI-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16100FTI-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256FT-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256FT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256FTI | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256FTI-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256FTI-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256J | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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