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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ44,.44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.58 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ44,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.7 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V16648BBFT-10 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BBFT-12 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BBFT-15 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BJ | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BJ-10 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BJ-12 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16648BJ-15 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BFT-10 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BFT-12 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BFT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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