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TC55V1664FT-12

更新时间: 2024-09-17 22:16:03
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 425K
描述
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

TC55V1664FT-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.48
最长访问时间:12 ns备用内存宽度:16
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC55V1664FT-12 数据手册

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TC55V1664FT-12 替代型号

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完全替代

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