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TC55V2001F-10

更新时间: 2024-09-18 20:34:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 549K
描述
IC 256K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

TC55V2001F-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.6 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.8 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.7 mm
Base Number Matches:1

TC55V2001F-10 数据手册

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