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TC55V1664FT-13

更新时间: 2024-09-17 22:16:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 425K
描述
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

TC55V1664FT-13 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:13 ns备用内存宽度:16
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC55V1664FT-13 数据手册

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