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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.46 |
| 最长访问时间： | 12 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V1664BFT-15 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BFT-8 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ-10 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ-12 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJI-10 | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44, Static RAM |
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| TC55V1664FT-10 | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44, Static RAM |
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| TC55V1664FT-12 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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