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TC55V1664BJI-10

更新时间: 2024-09-18 15:53:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 569K
描述
IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44, Static RAM

TC55V1664BJI-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ44,.44针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44长度:28.58 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.24 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V1664BJI-10 数据手册

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