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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ44,.44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| 长度： | 28.58 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ44,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.19 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V1664BJ-15 | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJ-8 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664BJI-10 | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44, Static RAM |
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| TC55V1664FT-10 | TOSHIBA |
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IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44, Static RAM |
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| TC55V1664FT-12 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664FT-13 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664FT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664J-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 16 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM |
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| TC55V1664J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1664J-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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