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TC55V1664BJ-8

更新时间: 2024-09-18 03:01:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 427K
描述
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

TC55V1664BJ-8 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ44,.44
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:8 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.58 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ44,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.26 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V1664BJ-8 数据手册

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