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TC55V1664BFT-10

更新时间: 2024-11-07 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA
页数 文件大小 规格书
10页 452K
描述
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM

TC55V1664BFT-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V1664BFT-10 数据手册

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