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TC55V16100FT-15

更新时间: 2024-09-17 22:07:23
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
8页 428K
描述
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS

TC55V16100FT-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数:54Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85最长访问时间:15 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:54
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC55V16100FT-15 数据手册

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