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TC55V16100FTI-12

更新时间: 2024-11-06 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA
页数 文件大小 规格书
8页 420K
描述
MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55V16100FTI-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.81
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:54
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V16100FTI-12 数据手册

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