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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TC55V16100FT-15 | TOSHIBA |
功能相似  |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V16256FT-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256FT-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256FTI | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256FTI-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256FTI-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V16256J | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V16256J-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC55V16256J-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM |
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| TC55V16256JI | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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