是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.21 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55V16256FTI-15 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55V16256J | TOSHIBA |
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262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC55V16256J-12 | TOSHIBA |
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262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC55V16256J-15 | TOSHIBA |
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262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC55V16256J-20 | TOSHIBA |
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IC 256K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM | |
TC55V16256JI | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55V16256JI-12 | TOSHIBA |
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IC 256K X 16 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM | |
TC55V16256JI-15 | TOSHIBA |
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IC 256K X 16 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM | |
TC55V16648BBFT-10 | TOSHIBA |
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65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM | |
TC55V16648BBFT-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM |