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TC55V1001TR-10

更新时间： 2024-11-06 22:10:27

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TC55V1001TR-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, REVERSE, PLASTIC, TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TC55V1001TR-85	TOSHIBA	获取价格	131,072 WORD BY 8 BIT STATIC RAM
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TC55V11601FT-15	TOSHIBA	获取价格	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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