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TC55V1325FF-7

更新时间: 2024-09-17 22:18:11
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
18页 1093K
描述
32,768-WORD BY 32-BIT SYNCHRONOUS PIPELINED BURST STATIC RAM

TC55V1325FF-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:14 X 20 MM, 1.6 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:7 ns
其他特性:SYNCHRONOUS SELF-TIMED WRITEJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.1 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm

TC55V1325FF-7 数据手册

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