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TC55V1325FF-8

更新时间： 2024-11-06 22:18:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	1093K
描述
32,768-WORD BY 32-BIT SYNCHRONOUS PIPELINED BURST STATIC RAM

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TC55V1325FF-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.6 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX32	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.1 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55V1326AFF	TOSHIBA	获取价格	32,768-WORD BY 32-BIT SYNCHRONOUS PIPELINED BURST STATIC RAM
TC55V1326AFF-66	TOSHIBA	获取价格	32,768-WORD BY 32-BIT SYNCHRONOUS PIPELINED BURST STATIC RAM
TC55V1403FT-15	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM
TC55V1403FT-20	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM
TC55V1403J	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM
TC55V1403J-12	TOSHIBA	获取价格	IC 1M X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RA
TC55V1403J-15	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM
TC55V1403J-20	TOSHIBA	获取价格	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM
TC55V16100FT-10	TOSHIBA	获取价格	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS
TC55V16100FT-12	TOSHIBA	获取价格	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON CMOS