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TC55V11601FT-15

更新时间: 2024-09-18 02:54:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 333K
描述
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55V11601FT-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数:54Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V11601FT-15 数据手册

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