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TC55B8128P-20

更新时间: 2024-01-07 19:44:36
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 175K
描述
IC 128K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC55B8128P-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:40 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.45 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC55B8128P-20 数据手册

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