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STW56N60M2-4

更新时间： 2023-12-20 18:44:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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12页	409K
描述
N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装

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STW56N60M2-4 数据手册

STW56N60M2-4

Electrical characteristics (curves)

2.1

Electrical characteristics (curves)

Figure 1. Safe operating area

Figure 2. Thermal impedance

GIPD281120141509FSR

TO247EZx8

(A)

10µs

100

10 ^-1

Z_th=k*R_thj-c

100µs

1ms

10ms

10 ^-2

Tj=150°C

Tc=25°C

Single pulse

10 ^-3

10 ^-5

0.1

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

VDS(V)

t_p(s)

0.1

100

Figure 3. Output characteristics

Figure 4. Transfer characteristics

GIPD281120141518FSR

GIPD281120141611FSR

(A)

VGS= 7, 8, 9, 10 V

140

120

VDS = 18 V

100

VDS(V)

20 25

10 VGS(V)

Figure 5. Gate charge vs gate-source voltage

Figure 6. Static drain-source on-resistance

GIPD011220141351FSR

VGS

GIPD281120141625FSR

RDS(on)

(mΩ)

VDS

500

(V)

VGS= 10V

VDS

VDD = 480 V

ID = 52 A

400

300

200

100

15 30 45 60 75 90

Qg(nC)

24 32

ID(A)

DS10508 - Rev 4

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