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STW20NB50

更新时间： 2024-11-22 22:29:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
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8页 89K
描述
N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET

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STW20NB50  
N - CHANNEL 500V - 0.22Ω - 20A - TO-247  
PowerMESH  
MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW20NB50  
500 V  
< 0.25 Ω  
20 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.22 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology,  
STMicroelectronics has designed an advanced  
family of power Mosfets with outstanding  
performances. The new patent pending strip  
layout coupled with the Company’s proprietary  
edge termination structure, gives the lowest  
TO-247  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
RDS(on) per area, exceptional avalanche and  
dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and  
switching characteristics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
V
V
500  
)
Ω
± 30  
20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
12.7  
80  
A
I
DM(• )  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
250  
W
Derating Factor  
2
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
4
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 20A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
October 1999  
12345678

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STW20NB50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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