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STW20NC50 PDF预览

STW20NC50

更新时间： 2024-11-22 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 18.4A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET

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STW20NC50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：960 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18.4 A
最大漏极电流 (ID)：18.4 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：220 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：73.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW20NC50 数据手册

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STW20NC50  
N-CHANNEL 500V - 0.22Ω - 18.4A TO-247  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW20NC50  
500V  
< 0.27Ω  
18.4A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.22Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
TO-247  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITH MODE LOW POWER SUPPLIES  
(SMPS)  
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
18.4  
11.6  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
73.6  
220  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
1.75  
2
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤18.4A, di/dt ≤100A/µs, V  
≤ V , T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
May 2001  
1/8  
12345678

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STW20NC50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-247 MDmesh⑩
STW20NM50FD STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-247 FDmesh⑩
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 		19A, 650V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
STW21N150K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道1500 V、0.7 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，T
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 		N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-p

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