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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW20NM50
STW20NM50 PDF预览

STW20NM50

更新时间： 2024-11-22 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 258K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

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STW20NM50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.29雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：214 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

STW20NM50 数据手册

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STW20NM50  
N-CHANNEL 500V - 0.20Ω - 20A TO-247  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW20NM50  
500V  
< 0.25Ω  
20 A  
TYPICAL R (on) = 0.20Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
3
2
1
TO-247  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
20  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
12.6  
80  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
214  
W
C
Derating Factor  
1.44  
15  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤20A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
August 2002  
1/8  
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STW20NM50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STW21NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe

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