5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW20NB50 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
|
| FS10SM-18A | POWEREX |
功能相似 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| 2SK2057 | TOSHIBA |
功能相似 |
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS10SM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS10SM-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS10SM-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS10SM3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS10SM9 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS10SM-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS10SM-9 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS10SM-9 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
| FS10SMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS10SMH-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
