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STP16NB25

更新时间： 2024-01-27 05:41:57
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

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STP16NB25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.87
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP16NB25 数据手册

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STP16NB25  
STP16NB25FP  
N - CHANNEL 250V - 0.220Ω - 16A - TO-220/TO-220FP  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP16NB25  
STP16NB25FP  
250 V  
250 V  
< 0.28 Ω  
< 0.28 Ω  
16 A  
8 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.220 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
DESCRIPTION  
1
1
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP16NB25 STP16NB25FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
250  
250  
V
V
± 30  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
16  
10  
8
5
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
64  
32  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
140  
1.12  
5.5  
-----  
45  
W
Derating Factor  
0.36  
5.5  
2000  
W/oC  
V/ns  
V
dv/dt( ) Peak Diode Recovery voltage slope  
1
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( 1) ISD ≤ 16A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/9  
March 1999  
1234567...9

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