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STGP7NB60H

更新时间： 2024-02-29 03:41:44
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT

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STGP7NB60H 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.89Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：14 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：670 ns标称接通时间 (ton)：19 ns
Base Number Matches：1

STGP7NB60H 数据手册

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STGP7NB60H  
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220  
PowerMESH IGBT  
TYPE  
VCES  
VCE(sat)  
< 2.8 V  
IC  
7 A  
STGP7NB60H  
600 V  
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
(VOLTAGEDRIVEN)  
■
■
■
■
■
LOW ON-VOLTAGEDROP (Vcesat  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION  
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
)
3
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based  
on a patented strip layout, STMicroelectronics  
has designed an advanced family of IGBTs, the  
TO-220  
PowerMESH  
IGBTs,  
with  
outstanding  
perfomances. The suffix ”H” identifies a family  
optimized to achieve very low switching times for  
high frequency applications (<120kHz).  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS  
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VECR  
VGE  
IC  
Parameter  
Value  
600  
20  
Unit  
Collector-Emitter Voltage (VGS = 0)  
Emitter-Collector Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
V
V
20  
V
±
o
Collector Current (continuous) at Tc = 25 C  
14  
A
o
IC  
Collector Current (continuous) at Tc = 100 C  
7
56  
A
I
CM(• )  
Collector Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
80  
W
Derating Factor  
0.64  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
June 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGP7NB60HD STMICROELECTRONICS

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STGP7NB60HDFP STMICROELECTRONICS

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