Datasheet > 晶体管 > IGBT> STGB10NB60S

STGB10NB60S

更新时间： 2024-01-28 00:15:14

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
13页	392K
描述
N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STGB10NB60S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, D2PAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称接通时间 (ton)：	1160 ns	Base Number Matches：	1

STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S

Figure 3: Output Characteristics

Figure 6: Transfer Characteristics

Figure 4: Transconductance

Figure 7: Collector-Emitter On Voltage vs Tem-

perature

Figure 5: Collector-Emitter On Voltage vs Col-

lector Current

Figure 8: Gate Thereshold vs Temperature

4/13

1 2 345 6 7...13

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STGB10NB60ST4	STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	获取价格
STGB10NC60HD	STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT	获取价格
STGB10NC60HD_0710	STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT	获取价格
STGB10NC60HD_08	STMICROELECTRONICS	600 V - 10 A - very fast IGBT	获取价格
STGB10NC60HDT4	STMICROELECTRONICS	600 V - 10 A - very fast IGBT	获取价格
STGB10NC60HDTRL	STMICROELECTRONICS	20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3	获取价格