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STGB10NB60S

更新时间： 2024-02-11 19:42:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
13页 392K
描述
N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

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STGB10NB60S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.24
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称接通时间 (ton)：1160 nsBase Number Matches：1

STGB10NB60S 数据手册

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STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S  
Table 3: Absolute Maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
TO-220/D²PAK  
Unit  
TO-220FP  
V
Collector-Emitter Voltage (V = 0)  
600  
20  
V
V
CES  
GS  
V
Reverse Battery Protection  
ECR  
V
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
20  
V
GE  
I
Collector Current (continuous) at 25°C  
Collector Current (continuous) at 100°C  
Collector Current (pulsed)  
A
C
I
10  
A
C
I
(1)  
80  
A
CM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
W/°C  
V
80  
0.64  
--  
25  
TOT  
C
Derating Factor  
0.20  
2500  
V
Insulation Withstand Voltage A.C.(t=1sec, Tc=25°C)  
Storage Temperature  
ISO  
T
stg  
– 55 to 150  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.  
Table 4: Thermal Data  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Rthj-case  
Thermal Resistance Junction-case  
TO-220  
D²PAK  
1.56  
°C/W  
TO-220FP  
5.0  
°C/W  
°C/W  
°C  
Rthj-amb  
Thermal Resistance Junction-ambient  
62.5  
T
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose  
(1.6 mm from case, for 10 sec.)  
300  
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
CASE  
Table 5: Off  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Collectro-Emitter  
Breakdown Voltage  
I
I
= 250 µA, V = 0  
600  
V
BR(CES)  
BR(ECS)  
C
GE  
V
Emitter-Collector  
= 1mA, V = 0  
20  
V
C
GE  
Breakdown Voltage  
I
Collector cut-off  
(V = 0)  
GE  
V
V
= Max Rating, Tc=25°C  
= Max Rating, Tc=125°C  
10  
100  
µA  
µA  
CES  
GE  
CE  
I
Gate-Emitter Leakage  
V
GE  
= ± 20 V , V = 0  
±100  
nA  
GES  
CE  
Current (V = 0)  
CE  
Table 6: On  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
GE(th)  
Gate Threshold Voltage  
V
CE  
= V , I = 250 µA  
2.5  
5
V
GE  
C
V
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
V
GE  
V
GE  
V
GE  
=15 V, I = 5 A,  
1.15  
1.35  
1.25  
V
V
V
CE(SAT)  
C
1.7  
=15 V, I = 10 A,  
C
=15 V, I = 10 A, Tj= 125°C  
C
2/13  
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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